С некоторой долей натяжки LM317 можно считать аналогом полевого транзистора с р-n переходом с очень высокой крутизной и напряжением отсечки минус 1,2 В. Поэтому к LM317 применим точно такой же подход, как и к полевому транзистору: крутись как хочешь, но затвор нашего псевдотранзистора (управляющий вход микросхемы) должен быть отрицательнее истока (выхода LM317) на 1,2 В.
То есть, если нельзя подать на затвор (управляющий вход) минус, то придётся подавать плюс на исток (выход LM317). Например, включить в исток нашего псевдотранзистора (выход LM317) стабилитрон, выдерживающий требуемый максимальный ток, на напряжение стабилизации выше 3 В, например Д815А. Тогда нижний вывод R3 по схеме
http://dl2kq.de/pa/1-6.htm можно просто посадить на корпус. Однако при этом:
- придется изолировать LM317 от шасси;
- стабильность выходного напряжения будет похуже, т.к. никакой внешний стабилитрон не имеет столь низкого динамического сопротивления, как LM317.
