Автор Тема: Мощный и легкий PA  (Прочитано 225918 раз)

Оффлайн DL2KQ

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 2024
  • Репутация: +218/-5
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #180 : 12 Мая 2022, 11:38:09 »
Это на частоте 3.5 МГц, XL (реактивное сопротивление) составляет 1.099 кОм.
Что приводит к шунтированию входного сопротивления П-контура реактивным сопротивлением дросселя.
Поэтому КПД усилителя на НЧ диапазонах будет занижен.
Не совсем так.

КПД может упасть. Но не из-за шунтирования (его тут нет). А из-за увеличения ВЧ тока через дроссель. Поэтому не повредит запас по толщине провода в дросселе.

 Ну и понадобится запас по емкости анодного КПЕ (этот запас вместе с индуктивностью дросселя создаст трап  на 3,5 MHz с очень высоким импедансом, поэтому никакого шунтирования не будет).

Оффлайн ra1qea

  • ***
  • Сообщений: 43
  • Репутация: +7/-17
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #181 : 15 Мая 2022, 09:29:02 »
... Не совсем так. ...
 Ну и понадобится запас по емкости анодного КПЕ (этот запас вместе с индуктивностью дросселя создаст трап  на 3,5 MHz с очень высоким импедансом, поэтому никакого шунтирования не будет).
Здравия Вам, Игорь.

Если использовать в цепи анода лампы выходного каскада усилителя мощности дроссель с индуктивностью 180 мкГн, то для создания параллельного контура (фильтра-пробки (трапа)) на частоте 1.8 МГц потребуется добавить к входному конденсатору П-контура ёмкость, величиной всего 43,43 пФ.
При этом  характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура (XL) составит ρ = 2035.75 Ом.
Для частоты 3,5 МГц - 11,48 пФ.
При этом  характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура составит ρ =  3958.349 Ом.
Для частоты 7 МГц - 2,8 пФ.
При этом  характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура составит  ρ = 7916.697 Ом.

Поэтому, запас ёмкости входного конденсатора П-контура не велик.
А также, ёмкость дополнительного конденсатора постоянно присутствует во входном конденсаторе П-контура в системе трап - П контур.

В вашем примере (3,5 МГц; индуктивность дросселя 50 мкГн) характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура (XL) составит ρ = 1099.55 Ом.
Ёмкость конденсатора составит 41,36 пФ.
Сравните полученные расчётные данные.

Удачи Вам.

Оффлайн DL2KQ

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 2024
  • Репутация: +218/-5
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #182 : 15 Мая 2022, 10:01:50 »
  ρ (характеристическое сопротивление реактивности одного элемента контура, т.е. 2•pi•L или 1/(2•pi•C).

  Roe (активное сопротивление всего контура на резонансе).  Roe  = ρ • Q,
где Q холостая добротность контура.

Умножьте Ваши цифры ρ на добротность (у дросселя из-за тонкого провода  она невелика, но явно выше как минимум  20). Получится Roe – то, что на самом деле шунтирует П-контур.

Так что небольшие по индуктивности дроссели вполне работоспособны на НЧ. Минусов только два:
1. Уже упомянутое "отъедание" части анодной ёмкости.
2. Возрастание реактивного тока в дросселе из-за его меньшей индуктивности (т.е. снижения  ρ),что надо иметь в виду при выборе толщины провода.

Оффлайн ra1qea

  • ***
  • Сообщений: 43
  • Репутация: +7/-17
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #183 : 15 Мая 2022, 11:13:20 »
...
Умножьте Ваши цифры ρ на добротность (у дросселя из-за тонкого провода  она невелика, но явно выше как минимум  20). Получится Roe – то, что на самом деле шунтирует П-контур. ...
Игорь, я не писал о том, что нужно использовать тонкий провод для изготовления дросселя.
Я всегда мотаю дроссельные катушки проводом ПЭВ-2, диаметром 0,5 мм (ибо другого провода для дросселя у меня нет).
Как пример:
        Диаметр каркаса D: 25 мм.
   Диаметр провода d: 0.5 мм.
   Диаметр провода с изоляцией: 0.55 мм.
   Длина намотки: 98 мм.
   Рабочая частота: 3.5 МГц.
        Число витков катушки: 180.
       Индуктивность: 181 мкГн.
       Конструктивная добротность катушки: Q = 243.
       Сопротивление потерь: ЭПС=16.357 Ом.
Вот такие дроссели я использую.

Игорь, я нигде не утверждал, что небольшие по индуктивности дроссели, не работоспособны.
Просто я придерживаюсь несколько другой точки зрения, чем Вы.
Удачи Вам.




Оффлайн Vadym

  • **
  • Сообщений: 11
  • Репутация: +4/-0
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #184 : 15 Мая 2022, 18:06:18 »
Это стандартная беда компьютерных вентиляторов. Лечится (кроме очевидного увеличения расстояния до анода) парой SMD конденсаторов 0.1 uF, припаиваемых прямо на плату вентилятора (защитную наклейку для этого придется поднять).

Ну зачем так радикально? Я внутрь вентилятора не лез, просто подключил его через п-образньій LC фильтр. Я вообще сторонник решений, не требующих вмешательства в оригинальньіе компонентьі.

Оффлайн DL2KQ

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 2024
  • Репутация: +218/-5
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #185 : 17 Мая 2022, 08:50:29 »
ТОЭ. Сопротивление LC контура на резонансе.
Параллельного  ρ • Q. Последовательного  ρ / Q.

Оффлайн Vadym

  • **
  • Сообщений: 11
  • Репутация: +4/-0
    • Просмотр профиля
Re: Мощный и легкий PA
« Ответ #186 : 17 Мая 2022, 09:19:24 »
Как я обьяснил єто явление себе. Дело вовсе не в резонансе вентилятора. Проблема в том, что наводимая в его обмотке ЄДС начинает генерировать напряжение на вьіводах вентилятора, которое "глушит" напряжение его питания. Поєтому LC фильтр и помог. Он просто не пустил генерируемое на обмотке вентилятора ВЧ напряжение дальше в схему.