Автор Тема: Расчет Пи контура и "холодная" настройка  (Прочитано 1833 раз)

Оффлайн ei7kd

  • **
  • Сообщений: 2
  • Репутация: +0/-0
    • Просмотр профиля
Здравствуйте ,
столкнулся с проблемой несоответствия практической настройки и расчетом Пи контура
(перечитал сообщения на форуме, но ответа на проблему найти не удалось)
краткое описание ситуации : усилитель ГУ84 (общий катод) анодное 2600 В ток 0.9 А
исходя из R1 ≈ Ea/(1,8•Iа) получено 1604 Ом
соответственно C1=250 пф (65 %) C2=1134 пф (95%) L1=9.27 мГн (при Q=10)
усилитель нагружен на эквивалент 50 Ом все соответствует расчету !!!
решил проверить методом "холодной " настройки (со стороны антенны анализатор АА 55 zoom , с анода лампы на корпус 1600 Ом)
...положения конденсаторов изменились , для C1 45 % для C2 60 %
постепенно увеличивая номинал резистора с 1.6 кОм (2кОм , 2.5 кОм , 3 кОм) только при номинале 3000 Ом получил прежние 65 и 95 %
положения переменных конденсаторов
Вопрос, где и что не правильно ? расчетное сопротивление 1600 Ом , "рабочее" 3000 Ом .
Буду очень признателен за помошь, С Уважением, Олег.

 

Оффлайн DL2KQ

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 2024
  • Репутация: +218/-5
    • Просмотр профиля
   Что-то сильное "не то" в измерениях (см. контрольную проверку в аттаче).
  Первое подозрение на адекватность прибора. Второе - на номинал и паразитную индуктивность резистора. Третье  (очень маловероятное - на какие-то проблемы с анодным дросселем). Четвертое - на линейность шкал КПЕ: они часом не прямочастотные или прямоволновые (т.е. с переменным радиусом пластин?)

Оффлайн ei7kd

  • **
  • Сообщений: 2
  • Репутация: +0/-0
    • Просмотр профиля
Игорь , Приветствую !
Огромное спасибо за ответ !!!

посмотрел все в RFSim99....
к сожалению "ошибку" в варианте с ГУ84 до конца осмыслить не удалось (усилитель был отремонтирован и отдан заказчику)

в то же время Червячек не давал покою, и тут притащили в ремонт классический лайнер на ГУ43 (3 кВ анодное, 0.85 А )
соответственно Rаэ 1960 Ом
....накрутил на эквивалент в границах 1.5 кВт на 40 ке  ....
зацепил 1972 Ома с анода на корпус плюс Nano VNA-F
ВСЕ СОВПАЛО копейка в копейку !!!
Спасибо Вам Большое !!!

P.S. есть вопрос по нагруженной добротности Q. но это отдельная тема.
буду признателен если найдете несколько минут на разьеснения ,не срочно т.к. империческим путем выхожу из ситуации.
Еще раз Спасибо за Ваш Труд !!!
« Последнее редактирование: 25 Июня 2021, 21:42:24 от ei7kd »

Оффлайн DL2KQ

  • Администратор
  • *****
  • Сообщений: 2024
  • Репутация: +218/-5
    • Просмотр профиля
Нагруженная добротность  выбирается разработчиком для конкретного случая. Имея в виду, что рост нагруженной добротности:
   • Улучшает подавление гармоник.
   • Сужает полосу согласования.
   • Снижает КПД П-контура
   • Увеличивает емкости П-контура.
   • Увеличивает реактивные токи (при той же активной мощности) в контуре.

   То есть для увеличения емкостей контура и подавления гармоник рост Qн полезен. Для остального – вреден.
   Чаще всего приходится задирать Qн на верхнем диапазоне, чтобы вписаться требуемой емкостью  П-контура в  имеющуюся сумму емкостей анода, начальной КПЕ и монтажа.
  Впрочем  для обеспечения работы П-контура с на верхнем диапазоне (скажем, т же КВ РА  с  ГУ-43Б  в диапазоне 50 MHz)  есть и другие способы, кроме задирания Qн, надо бы собраться написать об этом заметку (на статью оно не тянет).