Для согласования (любого, хоть Г-образного, хоть контуром, хоть как еще) желательно, чтобы потери в согласующем устройстве были минимальны.
А потери возникают из-за нагрева деталей СУ, т.е. из-за их конечной добротности.
КПД резонансных СУ можно оценить по приблизительной формуле:
КПД = 1 – Qн/Qxx;
где:
Q
xx - холостая добротность деталей СУ (чаще всего катушки, у конденсаторов она выше, хотя у маленьких SMD конденсаторов это может быть и не так);
Q
н - нагруженная добротность СУ, оценивается отношение сопротивлений входа и выхода (большего к меньшему).
Поэтому при небольших Q
н ( т.е. малых коэффициентах трансформации) особых требований к деталям СУ нет.
А если Q
н получается высокой, то катушка контура СУ выбирается такой, чтобы обеспечить ее максимальную холостую добротность. Иначе говоря произведение характеристического сопротивления катушки на её Q
хх должно быть намного (скажем в те же 10 раз) больше сопротивления в затворе транзистора.
PS. Оценки выше прикидочны. Если надо точнее, то моделировать, например в
RFSim99.
Просмотр сообщений