... Не совсем так. ...
Ну и понадобится запас по емкости анодного КПЕ (этот запас вместе с индуктивностью дросселя создаст трап на 3,5 MHz с очень высоким импедансом, поэтому никакого шунтирования не будет).
Здравия Вам, Игорь.
Если использовать в цепи анода лампы выходного каскада усилителя мощности дроссель с индуктивностью 180 мкГн, то для создания параллельного контура (фильтра-пробки (трапа)) на частоте 1.8 МГц потребуется добавить к входному конденсатору П-контура ёмкость, величиной всего 43,43 пФ.
При этом характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура (XL) составит ρ = 2035.75 Ом.
Для частоты 3,5 МГц - 11,48 пФ.
При этом характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура составит ρ =
3958.349 Ом.
Для частоты 7 МГц - 2,8 пФ.
При этом характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура составит ρ = 7916.697 Ом.
Поэтому, запас ёмкости входного конденсатора П-контура не велик.
А также, ёмкость дополнительного конденсатора постоянно присутствует во входном конденсаторе П-контура в системе трап - П контур.
В вашем примере (3,5 МГц; индуктивность дросселя 50 мкГн) характеристическое сопротивление получившегося параллельного контура (XL) составит
ρ = 1099.55 Ом.
Ёмкость конденсатора составит 41,36 пФ.
Сравните полученные расчётные данные.
Удачи Вам.